Infineon IQD0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 276 A 333 W, 8-Pin PG-WHSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 351-912
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD020N10NM5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.5.943 | CHF.11.88 |
| 20 - 198 | CHF.5.355 | CHF.10.70 |
| 200 - 998 | CHF.4.935 | CHF.9.86 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 351-912
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD020N10NM5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 276A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IQD0 | |
| Gehäusegröße | PG-WHSON-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.05mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 107nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6 mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 276A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IQD0 | ||
Gehäusegröße PG-WHSON-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.05mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 107nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6 mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Höhe 0.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon Power-MOSFET hat einen niedrigen RDS(on) von 2,05 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden Wärmeleistung für einfaches Verlustleistungsmanagement. Außerdem kann mit dem doppelseitigen Kühlgehäuse fünfmal mehr Leistung abgeführt werden als mit dem umspritzten Gehäuse. Dies ermöglicht eine höhere Systemeffizienz und Leistungsdichte für eine Vielzahl von Endanwendungen.
Modernste 100-V-Siliziumtechnologie
Hervorragende FOMs
Verbesserte Wärmeleistung
Ultra-niedrig parasitär
Maximiertes Chip- oder Gehäuseverhältnis
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