Infineon IQD0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 276 A 333 W, 8-Pin PG-WHSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 351-912
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD020N10NM5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
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| 2 - 18 | CHF 6.626 | CHF 13.26 |
| 20 - 198 | CHF 5.979 | CHF 11.95 |
| 200 - 998 | CHF 5.515 | CHF 11.02 |
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- RS Best.-Nr.:
- 351-912
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD020N10NM5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 276A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Serie | IQD0 | |
| Gehäusegröße | PG-WHSON-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.05mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 107nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 276A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Serie IQD0 | ||
Gehäusegröße PG-WHSON-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.05mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 107nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6mm | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Höhe 0.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon Power-MOSFET hat einen niedrigen RDS(on) von 2,05 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden Wärmeleistung für einfaches Verlustleistungsmanagement. Außerdem kann mit dem doppelseitigen Kühlgehäuse fünfmal mehr Leistung abgeführt werden als mit dem umspritzten Gehäuse. Dies ermöglicht eine höhere Systemeffizienz und Leistungsdichte für eine Vielzahl von Endanwendungen.
Modernste 100-V-Siliziumtechnologie
Hervorragende FOMs
Verbesserte Wärmeleistung
Ultra-niedrig parasitär
Maximiertes Chip- oder Gehäuseverhältnis
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