Infineon IQD0 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 151 A 333 W, 8-Pin PG-WHSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 351-914
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD063N15NM5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
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| 2 - 18 | CHF 6.141 | CHF 12.29 |
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- RS Best.-Nr.:
- 351-914
- Herst. Teile-Nr.:
- IQD063N15NM5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 151A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | IQD0 | |
| Gehäusegröße | PG-WHSON-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.32mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 333W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 6mm | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 0.75mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC, Halogen‐Free According to IEC61249‐2‐21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 151A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie IQD0 | ||
Gehäusegröße PG-WHSON-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.32mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 333W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 6mm | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 0.75mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC, Halogen‐Free According to IEC61249‐2‐21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon Power-MOSFET hat einen niedrigen RDS(on) von 6,32 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden Wärmeleistung für einfaches Verlustleistungsmanagement. Außerdem kann mit dem doppelseitigen Kühlgehäuse fünfmal mehr Leistung abgeführt werden als mit dem umspritzten Gehäuse. Dies ermöglicht eine höhere Systemeffizienz und Leistungsdichte für eine Vielzahl von Endanwendungen.
Modernste 150-V-Siliziumtechnologie
Hervorragende FOMs
Verbesserte Wärmeleistung
Ultra-niedrig parasitär
Maximiertes Chip- oder Gehäuseverhältnis
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