Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 789 A 278 W, 8-Pin PG-WHSON-8

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RS Best.-Nr.:
348-884
Herst. Teile-Nr.:
IQDH29NE2LM5SCATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

789A

Drain-Source-Spannung Vds max.

25V

Gehäusegröße

PG-WHSON-8

Serie

OptiMOS 5

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.29mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

278W

Gate-Source-spannung max Vgs

±16 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon Power-MOSFET hat den branchenweit niedrigsten RDS(on) von 0,29 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden Wärmeleistung für einfaches Verlustleistungsmanagement.

Minimierte Leitungsverluste

Schnelles Umschalten

Reduziertes Überschwingen der Spannung

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