Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 447 A, 8-Pin PG-WHSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 348-892
- Herst. Teile-Nr.:
- IQDH88N06LM5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 447 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 60 V | |
| Gehäusegröße | PG-WHSON-8 | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 447 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 60 V | ||
Gehäusegröße PG-WHSON-8 | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon MOSFET verfügt über einen niedrigen RDS(on) von 0,86 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden thermischen Leistung für einfaches Verlustleistungsmanagement. Außerdem kann mit dem doppelseitigen Kühlgehäuse fünfmal mehr Leistung abgeführt werden als mit dem umspritzten Gehäuse.
Minimierte Leitungsverluste
Schnelles Umschalten
Reduziertes Überschwingen der Spannung
Schnelles Umschalten
Reduziertes Überschwingen der Spannung
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