Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 151 A 100 W, 8-Pin PG-WHSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 284-755
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE022N06LM5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF 3.717 | CHF 18.60 |
| 50 - 95 | CHF 3.535 | CHF 17.69 |
| 100 - 495 | CHF 3.272 | CHF 16.36 |
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- RS Best.-Nr.:
- 284-755
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE022N06LM5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 151A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | OptiMOS | |
| Gehäusegröße | PG-WHSON-8 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 26nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 151A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie OptiMOS | ||
Gehäusegröße PG-WHSON-8 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET von Infineon verfügt über einen OptiMOS 5-Leistungstransistor, einen hocheffizienten MOSFET, der für die Anforderungen fortschrittlicher Stromverwaltungsanwendungen entwickelt wurde. Mit einer Verlustleistung, die einen zuverlässigen Betrieb unter intensiven Bedingungen ermöglicht, sorgt dieser Leistungstransistor für optimale Effizienz und Wärmemanagement. Seine Pb-freie und RoHS-konforme Konstruktion unterstützt seine Verwendbarkeit in ökologisch sensiblen Anwendungen, während er auch halogenfrei ist, was seine Anpassungsfähigkeit in verschiedenen Sektoren verbessert. Er ist gemäß den JEDEC-Normen für industrielle Anwendungen qualifiziert und ein zuverlässiges Bauteil für Ingenieure, die zuverlässige, leistungsstarke Lösungen suchen.
Optimiert für das Energiemanagement
Unterstützt synchrone Gleichrichtung in SMPS
N-Kanal mit Logikpegelkompatibilität
Sehr niedriger Widerstand für thermische Leistung
Hervorragender Wärmewiderstand für Zuverlässigkeit
100% lawinengeprüft für Betriebssicherheit
Entspricht den Umweltvorschriften
Umfassende Validierung für den industriellen Einsatz
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