Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 151 A 100 W, 8-Pin IQE022N06LM5SCATMA1 PG-WHSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 284-755
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE022N06LM5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.415 | CHF.12.09 |
| 50 - 95 | CHF.2.30 | CHF.11.48 |
| 100 - 495 | CHF.2.121 | CHF.10.63 |
| 500 - 995 | CHF.1.953 | CHF.9.79 |
| 1000 + | CHF.1.88 | CHF.9.42 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 284-755
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE022N06LM5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 151A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PG-WHSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 26nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 151A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PG-WHSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET von Infineon verfügt über einen OptiMOS 5-Leistungstransistor, einen hocheffizienten MOSFET, der für die Anforderungen fortschrittlicher Stromverwaltungsanwendungen entwickelt wurde. Mit einer Verlustleistung, die einen zuverlässigen Betrieb unter intensiven Bedingungen ermöglicht, sorgt dieser Leistungstransistor für optimale Effizienz und Wärmemanagement. Seine Pb-freie und RoHS-konforme Konstruktion unterstützt seine Verwendbarkeit in ökologisch sensiblen Anwendungen, während er auch halogenfrei ist, was seine Anpassungsfähigkeit in verschiedenen Sektoren verbessert. Er ist gemäß den JEDEC-Normen für industrielle Anwendungen qualifiziert und ein zuverlässiges Bauteil für Ingenieure, die zuverlässige, leistungsstarke Lösungen suchen.
Optimiert für das Energiemanagement
Unterstützt synchrone Gleichrichtung in SMPS
N-Kanal mit Logikpegelkompatibilität
Sehr niedriger Widerstand für thermische Leistung
Hervorragender Wärmewiderstand für Zuverlässigkeit
100% lawinengeprüft für Betriebssicherheit
Entspricht den Umweltvorschriften
Umfassende Validierung für den industriellen Einsatz
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