Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 151 A 100 W, 8-Pin IQE022N06LM5SCATMA1 PG-WHSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 284-754
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE022N06LM5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 6000 Stück)*
CHF.10’458.00
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 08. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 6000 + | CHF.1.743 | CHF.10’464.30 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 284-754
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE022N06LM5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 151A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PG-WHSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.2mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 26nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 151A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PG-WHSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.2mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, JEDEC, IEC61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der MOSFET von Infineon verfügt über einen OptiMOS 5-Leistungstransistor, einen hocheffizienten MOSFET, der für die Anforderungen fortschrittlicher Stromverwaltungsanwendungen entwickelt wurde. Mit einer Verlustleistung, die einen zuverlässigen Betrieb unter intensiven Bedingungen ermöglicht, sorgt dieser Leistungstransistor für optimale Effizienz und Wärmemanagement. Seine Pb-freie und RoHS-konforme Konstruktion unterstützt seine Verwendbarkeit in ökologisch sensiblen Anwendungen, während er auch halogenfrei ist, was seine Anpassungsfähigkeit in verschiedenen Sektoren verbessert. Er ist gemäß den JEDEC-Normen für industrielle Anwendungen qualifiziert und ein zuverlässiges Bauteil für Ingenieure, die zuverlässige, leistungsstarke Lösungen suchen.
Optimiert für das Energiemanagement
Unterstützt synchrone Gleichrichtung in SMPS
N-Kanal mit Logikpegelkompatibilität
Sehr niedriger Widerstand für thermische Leistung
Hervorragender Wärmewiderstand für Zuverlässigkeit
100% lawinengeprüft für Betriebssicherheit
Entspricht den Umweltvorschriften
Umfassende Validierung für den industriellen Einsatz
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 151 A, 8-Pin PG-WHSON-8
- Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 132 A, 8-Pin PG-WHSON-8
- Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 447 A, 8-Pin PG-WHSON-8
- Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 445 A, 8-Pin PG-WHSON-8
- Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 85 A, 8-Pin PG-WHSON-8
- Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 99 A, 8-Pin PG-WHSON-8
- Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 151 A, 8-Pin PG-Tson-8
- Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 700 A, 8-Pin PG-WHSON-8