Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 85 A, 8-Pin PG-WHSON-8

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RS Best.-Nr.:
284-779
Herst. Teile-Nr.:
IQE065N10NM5SCATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

85 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-WHSON-8

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Enhancement

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

SiC

Der Infineon-MOSFET mit OptiMOS 5-Leistungstransistor wurde für Hochleistungsanwendungen entwickelt und bietet robuste Funktionen für die synchrone Gleichrichtung von Schaltnetzteilen. Dieser N-Kanal-MOSFET verfügt über ein kompaktes PG WHSON 8-Gehäuse, das fachmännisch entwickelt wurde, um höhere Leistungen zu bewältigen und gleichzeitig maximale Effizienz und Zuverlässigkeit zu gewährleisten. Es verfügt über eine einzigartige Avalanche-Test-Zertifizierung und eine überragende Wärmebeständigkeit, wodurch es sich ideal für industrielle Anwendungen eignet, bei denen die Leistung entscheidend ist. Mit einer Drain-Source-Spannung von 100 V und einem beeindruckend niedrigen Durchlasswiderstand sticht dieser Transistor auf dem Markt hervor. Sein innovatives Design stellt sicher, dass es die strengen Normen der IEC60947 5 2 und die RoHS-Konformität erfüllt und somit umweltbewussten Herstellern entgegenkommt.

Optimiert für SMPS mit hohem Wirkungsgrad
100% lawinengeprüft und zuverlässig
Überlegene thermische Leistung im Vergleich zur Konkurrenz
Pb-freie Bleibeschichtung zur Einhaltung der Umweltvorschriften
Entspricht der RoHS-Richtlinie für einen geringeren ökologischen Fußabdruck
Halogenfreie Konstruktion minimiert die Umweltbelastung
Maßgeschneidert für strenge Industriestandards

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