Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 700 A, 8-Pin PG-WHSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 348-886
- Herst. Teile-Nr.:
- IQDH35N03LM5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 700 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 30 V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | PG-WHSON-8 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 700 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 30 V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße PG-WHSON-8 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon MOSFET verfügt über einen niedrigen RDS(on) von 0,35 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden thermischen Leistung für einfaches Verlustleistungsmanagement. Außerdem kann mit dem doppelseitigen Kühlgehäuse fünfmal mehr Leistung abgeführt werden als mit dem umspritzten Gehäuse.
Reduziertes Überschwingen der Spannung
Erhöhte maximale Strombelastbarkeit
Schnelles Umschalten
Erhöhte maximale Strombelastbarkeit
Schnelles Umschalten
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