Infineon OptiMOS 6 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 611 A, 8-Pin PG-WHSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 348-887
- Herst. Teile-Nr.:
- IQDH45N04LM6SCATMA1
- Marke:
- Infineon
Bestandsabfrage leider nicht möglich
- RS Best.-Nr.:
- 348-887
- Herst. Teile-Nr.:
- IQDH45N04LM6SCATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 611 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 40 V | |
| Gehäusegröße | PG-WHSON-8 | |
| Serie | OptiMOS 6 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 611 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 40 V | ||
Gehäusegröße PG-WHSON-8 | ||
Serie OptiMOS 6 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon MOSFET verfügt über einen niedrigen RDS(on) von 0,45 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden thermischen Leistung für einfaches Verlustleistungsmanagement. Außerdem kann mit dem doppelseitigen Kühlgehäuse fünfmal mehr Leistung abgeführt werden als mit dem umspritzten Gehäuse.
Reduziertes Überschwingen der Spannung
Erhöhte maximale Strombelastbarkeit
Schnelles Umschalten
Erhöhte maximale Strombelastbarkeit
Schnelles Umschalten
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 85 A, 8-Pin PG-WHSON-8
- Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 447 A, 8-Pin PG-WHSON-8
- Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 700 A, 8-Pin PG-WHSON-8
- Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 445 A, 8-Pin PG-WHSON-8
- Infineon OptiMOS 6 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 597 A, 8-Pin PG-WHSON-8
- Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 323 A, 8-Pin PG-WHSON-8
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 151 A 100 W, 8-Pin PG-WHSON-8
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 132 A 100 W, 8-Pin PG-WHSON-8