Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 132 A 100 W, 8-Pin PG-WHSON-8
- RS Best.-Nr.:
- 284-760
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE030N06NM5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.2.415 | CHF.12.09 |
| 50 - 95 | CHF.2.30 | CHF.11.48 |
| 100 - 495 | CHF.2.121 | CHF.10.63 |
| 500 - 995 | CHF.1.953 | CHF.9.79 |
| 1000 + | CHF.1.88 | CHF.9.42 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 284-760
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE030N06NM5SCATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 132A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PG-WHSON-8 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 132A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PG-WHSON-8 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen JEDEC, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon-MOSFET verfügt über einen optimos 5-Leistungstransistor, der speziell für Anwendungen mit synchroner Gleichrichtung entwickelt wurde und eine unvergleichliche Leistung und Effizienz bietet. Mit einem robusten Design und dem Stand der ART-Wärmeverwaltungsfunktionen sorgt dieser Leistungs-MOSFET für einen zuverlässigen Betrieb in anspruchsvollen Umgebungen. Seine überragende thermische Beständigkeit macht ihn zur ersten Wahl für verschiedene industrielle Anwendungen und gewährleistet, dass Ihre Systeme mit maximaler Zuverlässigkeit und minimalem Leistungsverlust arbeiten. Dieses vollständig RoHS-konforme Bauteil legt den Schwerpunkt auf Umweltfreundlichkeit bei gleichzeitiger außergewöhnlicher Funktionalität.
Synchrongleichrichtung mit hohem Wirkungsgrad
N-Kanal-Konfiguration für effektive Leistung
100% lawinengeprüfte Zuverlässigkeit
Halogenfreie Materialien für eine sicherere Entsorgung
Unterstützung eines breiten industriellen Temperaturbereichs
Minimaler Durchgangswiderstand reduziert den Leistungsverlust
RoHS-konform für ökologische Nachhaltigkeit
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