Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 447 A 333 W, 9-Pin PG-WHTFN-9
- RS Best.-Nr.:
- 348-881
- Herst. Teile-Nr.:
- IQDH88N06LM5CGSCATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 348-881
- Herst. Teile-Nr.:
- IQDH88N06LM5CGSCATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 60 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 447 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 333 W | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Gehäusegröße | PG-WHTFN-9 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 0.86 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 60 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 447 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 333 W | ||
Pinanzahl 9 | ||
Gehäusegröße PG-WHTFN-9 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 0.86 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
- Ursprungsland:
- MY
The Infineon MOSFET comes with a low RDS(on) of 0.86 mOhm combined with outstanding thermal performance for easy power loss management. The Centre-Gate footprint is optimized for parallelization.
Reduced voltage overshoot
Increased maximum current capability
Fast switching
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