Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 445 A, 9-Pin PG-WHTFN-9

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RS Best.-Nr.:
348-880
Herst. Teile-Nr.:
IQD009N06NM5CGSCATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

445 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Serie

OptiMOS 5

Gehäusegröße

PG-WHTFN-9

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

9

Channel-Modus

Enhancement

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Ursprungsland:
MY
Der Infineon Power-MOSFET hat einen niedrigen RDS(on) von 0,9 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden Wärmeleistung für einfaches Verlustleistungsmanagement. Der Centre-Gate Footprint ist für die Parallelisierung optimiert.

Minimierte Leitungsverluste
Schnelles Umschalten
Reduziertes Überschwingen der Spannung

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