Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 789 A, 9-Pin PG-WHTFN-9
- RS Best.-Nr.:
- 348-874
- Herst. Teile-Nr.:
- IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.4.343 | CHF.8.69 |
| 20 - 198 | CHF.3.919 | CHF.7.83 |
| 200 - 998 | CHF.3.616 | CHF.7.22 |
| 1000 - 1998 | CHF.3.343 | CHF.6.69 |
| 2000 + | CHF.2.99 | CHF.5.99 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 348-874
- Herst. Teile-Nr.:
- IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Channel-Typ | N | |
| Dauer-Drainstrom max. | 789 A | |
| Drain-Source-Spannung max. | 25 V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | PG-WHTFN-9 | |
| Montage-Typ | SMD | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Channel-Modus | Enhancement | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 1 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Channel-Typ N | ||
Dauer-Drainstrom max. 789 A | ||
Drain-Source-Spannung max. 25 V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße PG-WHTFN-9 | ||
Montage-Typ SMD | ||
Pinanzahl 9 | ||
Channel-Modus Enhancement | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 1 | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon Power-MOSFET hat den branchenweit niedrigsten RDS(on) von 0,29 mOhm, kombiniert mit einer hervorragenden Wärmeleistung für einfaches Verlustleistungsmanagement. Der Centre-Gate Footprint ist für die Parallelisierung optimiert.
Minimierte Leitungsverluste
Schnelles Umschalten
Reduziertes Überschwingen der Spannung
Schnelles Umschalten
Reduziertes Überschwingen der Spannung
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