Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 85 A, 9-Pin PG-WHTFN-9

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-777
Herst. Teile-Nr.:
IQE065N10NM5CGSCATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

85 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-WHTFN-9

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

9

Channel-Modus

Enhancement

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

SiC

Der Infineon-MOSFET ist mit einem OptiMOS 5-Leistungstransistor ausgestattet, der für eine außergewöhnliche Leistung in Synchrongleichrichtungsanwendungen entwickelt wurde und eine hohe Effizienz und Zuverlässigkeit bietet. Die fortschrittliche MOSFET-Technologie macht ihn zur idealen Wahl für anspruchsvolle Stromversorgungsdesigns und sorgt für ein optimales Wärmemanagement und geringere Energieverluste. Dieser für den Betrieb bei 100 V ausgelegte Transistor weist eine beeindruckende Robustheit auf, die durch 100%ige Avalanche-Tests bestätigt wird, und bietet somit Sicherheit für industrielle Anwendungen.

Optimiert für Schaltnetzteile
N-Kanal für verbessertes Schalten
Hervorragender Wärmewiderstand gewährleistet Zuverlässigkeit
Pb-freie Verbleiung für mehr Umweltsicherheit
Halogenfreie Materialien entsprechen den IEC-Normen

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