Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 132 A 100 W, 9-Pin PG-WHTFN-9
- RS Best.-Nr.:
- 284-757
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE030N06NM5CGSCATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Leider können wir keine Angaben machen, wann dieser Artikel wieder vorrätig sein wird.
- RS Best.-Nr.:
- 284-757
- Herst. Teile-Nr.:
- IQE030N06NM5CGSCATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 132A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PG-WHTFN-9 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 9 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 39nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 100W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 132A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PG-WHTFN-9 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 9 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 39nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 100W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, RoHS, JEDEC | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon MOSFET ist ein Leistungstransistor, der für den effizienten Betrieb in anspruchsvollen Anwendungen entwickelt wurde und für modernste Technologie und Leistung steht. Optimiert für synchrone Gleichrichtung, sorgt es für überlegenes Wärmemanagement und Zuverlässigkeit, was es zu einer idealen Wahl für verschiedene industrielle Anwendungen macht. Er basiert auf der OptiMOS 5-Plattform und ist so konzipiert, dass er innerhalb eines 60-V-Bereichs effektiv funktioniert und gleichzeitig eine kompakte Abmessung beibehält. Sein robustes Design ermöglicht ein effizientes Schalten und gewährleistet eine hohe Leistung bei gleichzeitiger Minimierung der Verluste.
Hervorragender Wärmewiderstand für Zuverlässigkeit
Pb-freie Beschichtung zur Einhaltung der Umweltvorschriften
100%ige Avalanche-Prüfung zur Leistungssicherung
Außergewöhnliche Gate-Ladung für Schalteffizienz
Entspricht den Normen für Halogenfreiheit
Ideal für harte industrielle Anwendungen
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 132 A 100 W, 9-Pin PG-WHTFN-9
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 99 A 100 W, 9-Pin PG-WHTFN-9
- Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 85 A, 9-Pin PG-WHTFN-9
- Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 445 A, 9-Pin PG-WHTFN-9
- Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 323 A, 9-Pin PG-WHTFN-9
- Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 447 A, 9-Pin PG-WHTFN-9
- Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, SMD MOSFET 25 V / 789 A, 9-Pin PG-WHTFN-9
- Infineon OptiMOS 6 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 611 A, 9-Pin PG-WHTFN-9