Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 306 A TSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.2.951

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 4’043 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.2.95
10 - 24CHF.2.80
25 - 49CHF.2.69
50 - 99CHF.2.56
100 +CHF.2.39

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
258-0679
Herst. Teile-Nr.:
BSC012N06NSATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

306A

Drain-Source-Spannung Vds max.

60V

Gehäusegröße

TSON

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Durchlassspannung Vf

1.2V

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Die OptiMOS-MOSFETs von Infineon im SuperSO8-Gehäuse erweitern das Produktportfolio von OptiMOS 3 und 5 und ermöglichen eine höhere Leistungsdichte sowie eine verbesserte Robustheit, um dem Bedarf an niedrigeren Systemkosten und erhöhter Leistung gerecht zu werden. Die niedrige Verzögerungsladung verbessert die Systemzuverlässigkeit durch eine erhebliche Verringerung der Spannungsüberschreitung, wodurch der Bedarf an Schnubberkreisen minimiert wird, was zu weniger Engineering-Kosten und Aufwand führt.

Niedrigere Temperatur bei voller Ladung

Weniger Parallelen

Reduzierte Überschreitung

Erhöhte Leistungsdichte des Systems

Kleinere Größe

Verwandte Links

Recently viewed