Infineon OptiMOS™ N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 306 A TSON-8-3

Die OptiMOS-MOSFETs von Infineon im SuperSO8-Gehäuse erweitern das Produktportfolio von OptiMOS 3 und 5 und ermöglichen eine höhere Leistungsdichte sowie eine verbesserte Robustheit, um dem Bedarf an niedrigeren Systemkosten und erhöhter Leistung gerecht zu werden. Die niedrige Verzögerungsladung verbessert die Systemzuverlässigkeit durch eine erhebliche Verringerung der Spannungsüberschreitung, wodurch der Bedarf an Schnubberkreisen minimiert wird, was zu weniger Engineering-Kosten und Aufwand führt.

Niedrigere Temperatur bei voller Ladung
Weniger Parallelen
Reduzierte Überschreitung
Erhöhte Leistungsdichte des Systems
Kleinere Größe