Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 151 A, 8-Pin PG-Tson-8

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-948
Herst. Teile-Nr.:
IQE022N06LM5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

151 A

Drain-Source-Spannung max.

60 V

Serie

OptiMOS

Gehäusegröße

PG-Tson-8

Montage-Typ

SMD

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Enhancement

Transistor-Werkstoff

SiC

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Der Infineon-MOSFET ist mit einem OptiMOS 5-Leistungstransistor ausgestattet, der eine unvergleichliche Leistung in hocheffizienten Schaltnetzteilen bietet und eine synchrone Gleichrichtung sowie ein außergewöhnliches Wärmemanagement ermöglicht. Mit einer maximalen Drain-Source-Spannung von 60 V arbeitet dieser N-Kanal-Baustein unter einer Vielzahl von Bedingungen effizient und gewährleistet Zuverlässigkeit und Langlebigkeit in anspruchsvollen Anwendungen. Das Produkt wurde für den industriellen Einsatz entwickelt und garantiert die vollständige Einhaltung der JEDEC-Normen, wodurch es sich ideal für anspruchsvolle Umgebungen eignet. Darüber hinaus unterstreicht sein kompaktes PG TSON 8-Gehäuse seine Anpassungsfähigkeit an platzbeschränkte Designs, während seine robusten Eigenschaften einen optimalen Leistungsfluss bei minimalem Widerstand und minimaler Wärmeentwicklung gewährleisten und so die Gesamtleistung des Systems verbessern.

Optimiert für SMPS mit hoher Leistung
N-Kanal-Design auf Logikebene für Flexibilität
Niedriger Einschaltwiderstand reduziert Leistungsverluste
Hervorragender Wärmewiderstand für Zuverlässigkeit
RoHS- und halogenfrei konform
100% lawinengeprüft und langlebig
Geeignet für strenge Industrienormen

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