Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD Leistungs-MOSFET Erweiterung 60 V / 339 A 214 W, 12-Pin PG-TSON-12
- RS Best.-Nr.:
- 762-986
- Herst. Teile-Nr.:
- IQFH99N06NM5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Produkt Typ | Leistungs-MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 339A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | PG-TSON-12 | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | SMD | |
| Pinanzahl | 12 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.99mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 115nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 8mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Produkt Typ Leistungs-MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 339A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße PG-TSON-12 | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart SMD | ||
Pinanzahl 12 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.99mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 115nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 8mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der OptiMOS 5Power-Transistor von Infineon mit 60 V ist für Niederspannungsantriebe, batteriebetriebene und synchrone Gleichrichteranwendungen optimiert. Vollqualifiziert nach JEDEC für industrielle Anwendungen.
100 % Avalanche-getestet
Ausgezeichnete Temperaturbeständigkeit
N-Kanal
Pb-freie Leiterbeschichtung, RoHS-konform
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