Infineon IQF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 40 V / 451 A 214 W, 12-Pin PG-TSON-12
- RS Best.-Nr.:
- 349-390
- Herst. Teile-Nr.:
- IQFH55N04NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.5.376 | CHF.10.76 |
| 20 - 198 | CHF.4.841 | CHF.9.68 |
| 200 - 998 | CHF.4.473 | CHF.8.94 |
| 1000 - 1998 | CHF.4.148 | CHF.8.30 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-390
- Herst. Teile-Nr.:
- IQFH55N04NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 451A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PG-TSON-12 | |
| Serie | IQF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 12 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.55mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 118nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 451A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PG-TSON-12 | ||
Serie IQF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 12 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.55mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 118nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 40 V ist speziell für Niederspannungsanwendungen und batteriebetriebene Systeme optimiert und damit ideal für energieeffiziente Designs. Außerdem ist er für synchrone Anwendungen optimiert, was eine höhere Leistung gewährleistet. Der MOSFET zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der die Leitungsverluste minimiert und so die Effizienz verbessert. Darüber hinaus ist er zu 100 % Avalanche-getestet und gewährleistet so zuverlässige Leistung unter anspruchsvollen Bedingungen.
Ausgezeichnete Temperaturbeständigkeit
N-Kanal
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
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