Infineon IQF Typ N-Kanal, Oberfläche Leistungs-Transistor Erweiterung 40 V / 451 A 214 W, 12-Pin PG-TSON-12
- RS Best.-Nr.:
- 349-390
- Herst. Teile-Nr.:
- IQFH55N04NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF.5.376 | CHF.10.76 |
| 20 - 198 | CHF.4.841 | CHF.9.68 |
| 200 - 998 | CHF.4.473 | CHF.8.94 |
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- RS Best.-Nr.:
- 349-390
- Herst. Teile-Nr.:
- IQFH55N04NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | Leistungs-Transistor | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 451A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | PG-TSON-12 | |
| Serie | IQF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 12 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.55mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 214W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 118nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ Leistungs-Transistor | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 451A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße PG-TSON-12 | ||
Serie IQF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 12 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.55mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 214W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 118nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, JEDEC, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 40 V ist speziell für Niederspannungsanwendungen und batteriebetriebene Systeme optimiert und damit ideal für energieeffiziente Designs. Außerdem ist er für synchrone Anwendungen optimiert, was eine höhere Leistung gewährleistet. Der MOSFET zeichnet sich durch einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)) aus, der die Leitungsverluste minimiert und so die Effizienz verbessert. Darüber hinaus ist er zu 100 % Avalanche-getestet und gewährleistet so zuverlässige Leistung unter anspruchsvollen Bedingungen.
Ausgezeichnete Temperaturbeständigkeit
N-Kanal
Bleifreie Beschichtung und RoHS-konform
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
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