Infineon OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 656 A 300 W, 12-Pin IQFH36N04NM6ATMA1 PG-TSON-12

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RS Best.-Nr.:
348-840
Herst. Teile-Nr.:
IQFH36N04NM6ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

656A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

OptiMOS-TM6

Gehäusegröße

PG-TSON-12

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

12

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.36mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

300W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der 40-V-Normalpegel-Power-MOSFET von Infineon wird in unserem neuesten innovativen, kompakten PQFN-Gehäuse (8x6 mm2) auf Clip-Basis geliefert, das sehr hohe Ströme und Leistungen ermöglicht. Das Bauteil bietet den derzeit branchenweit besten RDS(on) von 0,36 mΩ in Kombination mit einer hervorragenden thermischen Leistung.

Minimierte Leitungsverluste

Schnelles Umschalten

Reduziertes Überschwingen der Spannung

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