Infineon OptiMOS-TM6 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 134 A 300 W, 3-Pin PG-TO263-3
- RS Best.-Nr.:
- 349-400
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB068N20NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 134A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-3 | |
| Serie | OptiMOS-TM6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 134A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße PG-TO263-3 | ||
Serie OptiMOS-TM6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Infineon OptiMOS-TM6 Serie MOSFET, 300 W maximale Verlustleistung, 200 V maximale Drain-Source-Spannung – IPB068N20NM6ATMA1
Dieser N-Kanal-Verbesserungs-MOSFET ist ein Hochstrom-Schaltgerät, das für Leistungsmanagementanwendungen entwickelt wurde, die geringe Leitungsverluste und eine robuste thermische Leistung erfordern. Er arbeitet als oberflächenmontierter Transistor im PG-TO263-3-Gehäuse und eignet sich für Schaltkreise, in denen kompakte, leistungsstarke Schaltvorgänge über einen breiten Temperaturbereich hinweg erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 200 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• Niedrige Rds(on) von 6,8 mΩ reduziert Leitungsverluste bei hohen Strömen
• 134 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromanwendungen
• Die Verlustleistung von 300 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 73 nC sorgt für schnellere Gate-Übergänge
• Der Betriebsbereich von -55 bis 175 °C hält rauen Temperaturbedingungen stand
• Niedrige Rds(on) von 6,8 mΩ reduziert Leitungsverluste bei hohen Strömen
• 134 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromanwendungen
• Die Verlustleistung von 300 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 73 nC sorgt für schnellere Gate-Übergänge
• Der Betriebsbereich von -55 bis 175 °C hält rauen Temperaturbedingungen stand
Anwendungsbereiche
• Geeignet für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Ideal für Gleichspannungswandler in Hochspannungsschienen
• Wird mit Motortreibern verwendet, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Kann für Lastschalter in industriellen Stromversorgungssystemen verwendet werden
• Geeignet für Hochtemperatur-Power-Management-Module
• Ideal für Gleichspannungswandler in Hochspannungsschienen
• Wird mit Motortreibern verwendet, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Kann für Lastschalter in industriellen Stromversorgungssystemen verwendet werden
• Geeignet für Hochtemperatur-Power-Management-Module
Welche Befestigungsmethode ist für einen zuverlässigen thermischen Kontakt erforderlich?
Das Gerät ist für die Oberflächenmontage ausgelegt
Das PG-TO263-3-Gehäuse ermöglicht die Befestigung von gelöteten Leiterplatten mit einem großen Wärmeleitpads, um die Wärmeübertragung auf die Leiterplatte und die Kühlkörperanordnungen zu erleichtern.
Wie wirkt sich die Gate-Drive-Anforderung auf das Schaltdesign aus?
Die maximale Gate-Source-Spannung beträgt 20 V und die typische Gate-Ladung beträgt 73 nC, sodass die Auswahl des Gate-Treibers ausreichend Strom liefern sollte, um die gewünschte Schaltgeschwindigkeit zu erreichen und gleichzeitig die Vgs-Grenzwerte zu beachten.
Welchen Umgebungsbedingungen hält er stand?
Er entspricht den spezifizierten Normen, einschließlich RoHS und spezifizierten IEC-Temperatur-/Feuchtigkeitsbelastungsstufen, und ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C für den Einsatz in anspruchsvollen thermischen Umgebungen ausgelegt.
Welche elektrischen Grenzwerte schützen vor Überlastung?
Die maximale Ablass-Quellenspannung des Geräts beträgt 200 V, und sein kontinuierlicher Ablassstrom beträgt 134 A.
Ausführungen sollten eine geeignete Strombegrenzung und einen Überspannungsschutz umfassen, um diese Parameter nicht zu überschreiten.
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