Infineon OptiMOS-TM6 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 134 A 300 W, 3-Pin IPB068N20NM6ATMA1 PG-TO263-3
- RS Best.-Nr.:
- 349-400
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB068N20NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 349-400
- Herst. Teile-Nr.:
- IPB068N20NM6ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 134A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | OptiMOS-TM6 | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.8mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 73nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 300W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 134A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie OptiMOS-TM6 | ||
Gehäusegröße PG-TO263-3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.8mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 73nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 300W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS, DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21 | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon OptiMOS 6 Leistungstransistor, 200 V ist ein n-Kanal-MOSFET mit normalem Pegel, der für hocheffiziente Leistungsanwendungen entwickelt wurde. Er bietet einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(on)), der minimale Leitungsverluste gewährleistet. Mit einem ausgezeichneten Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM) bietet er eine hervorragende Schaltleistung. Dieser MOSFET zeichnet sich außerdem durch eine sehr niedrige Sperrverzögerungsladung (Qrr) aus, was die Gesamteffizienz verbessert.
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-Konformität
Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
MSL 1 klassifiziert nach J-STD-020
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