Infineon OptiMOS N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 176 A, 3-Pin PG-TO263-3

Alle MOSFET anzeigen
Nicht verfügbar
Wir haben dieses Produkt aus dem Sortiment genommen.
RS Best.-Nr.:
284-676
Herst. Teile-Nr.:
IPB018N10N5ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Channel-Typ

N

Dauer-Drainstrom max.

176 A

Drain-Source-Spannung max.

100 V

Gehäusegröße

PG-TO263-3

Serie

OptiMOS

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Channel-Modus

Enhancement

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Transistor-Werkstoff

SiC

Der Infineon MOSFET verfügt über einen optimos 5-Leistungstransistor, der für Hochfrequenz-Schaltanwendungen entwickelt wurde und eine hervorragende Leistung in anspruchsvollen Umgebungen gewährleistet. Dieser fortschrittliche N-Kanal-MOSFET zeichnet sich durch einen niedrigen Durchlasswiderstand aus, was den Wirkungsgrad deutlich erhöht und die Wärmeentwicklung minimiert. Mit seinem bemerkenswerten Betriebstemperaturbereich ist er für die harten Anforderungen moderner elektronischer Systeme ausgelegt. Sein kompaktes D²PAK-Gehäuse vereinfacht die Integration in verschiedene elektronische Baugruppen und macht ihn zu einer vielseitigen Wahl für Ingenieure, die ihre Designs optimieren wollen. Dieses Gerät wurde gemäß den JEDEC-Normen vollständig qualifiziert, was seine Zuverlässigkeit für industrielle Anwendungen bestätigt.

Ideal für Hochfrequenzschaltungen
Niedriger Einschaltwiderstand verbessert das Energiemanagement
Pb-freie Bleibeschichtung entspricht den Vorschriften
Halogenfreie Konstruktion entspricht den Normen
Optimiert für hervorragende Leistungskennzahlen
Qualifiziert für industrielle Anwendungen
Erweiterte thermische Eigenschaften verbessern die Wärmeableitung

Verwandte Links