Teile-Nr.

Infineon Typ N-Kanal MOSFET 40 V / 180 A 300 W PG-TO263-3 IPB180N04S400ATMA1

RS Best.-Nr.:: 258-7073
Herst. Teile-Nr.:: IPB180N04S400ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon Typ N-Kanal MOSFET 40 V / 180 A 300 W PG-TO263-3 IPB180N04S400ATMA1

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 258-7073
Herst. Teile-Nr.:: IPB180N04S400ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	180A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	PG-TO263-3
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	300W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	AEC, MSL1, RoHS

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße PG-TO263-3
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 300W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen AEC, MSL1, RoHS

Datasheet - IPB180N04S400ATMA1

Der OptiMOS von Infineon bietet niedrige Schalt- und Leitungsverluste für einen hohen thermischen Wirkungsgrad. Es verfügt außerdem über eine optimierte Gesamt-Gate-Ladung, die kleinere Treiber-Ausgangsstufen ermöglicht.

AEC qualifiziert

Grünes Produkt

Ultra-niedrige RDS(on)

100 % Avalanche-getestet

Infineon Typ N-Kanal MOSFET 40 V / 180 A 300 W PG-TO263-3 IPB180N04S400ATMA1

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