Infineon IMBG65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 158 A, 7-Pin PG-TO263-7

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

CHF.27.92

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 09. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 9CHF.27.92
10 - 99CHF.25.14
100 +CHF.23.17

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
351-964
Herst. Teile-Nr.:
IMBG65R010M2H
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

158A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Ausgangsleistung

535W

Gehäusegröße

PG-TO263-7

Serie

IMBG65

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

7

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

4.5mm

Länge

10.2mm

Breite

9.45 mm

Normen/Zulassungen

JEDEC

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY
Der Infineon CoolSiC MOSFET G2 im D2PAK-7-Gehäuse baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie auf und ermöglicht ein beschleunigtes Systemdesign für kostenoptimierte, effiziente, kompakte und zuverlässige Lösungen. Die Generation 2 zeichnet sich durch erhebliche Verbesserungen bei den Leistungsmerkmalen sowohl für den hart schaltenden Betrieb als auch für weich schaltende Topologien aus und eignet sich für alle gängigen Kombinationen von AC-DC-, DC-DC- und DC-AC-Stufen.

Ermöglicht Stücklisteneinsparungen

Höchste Zuverlässigkeit

Ermöglicht höchste Effizienz und Leistungsdichte

Einfache Bedienung

Volle Kompatibilität mit bestehenden Anbietern

Ermöglicht Designs ohne Lüfter oder Kühlkörper

Verwandte Links