Infineon IMBG65 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V Erweiterung / 158 A, 7-Pin PG-TO263-7
- RS Best.-Nr.:
- 351-964
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBG65R010M2H
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 158A | |
| Ausgangsleistung | 535W | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | IMBG65 | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.2mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDEC | |
| Höhe | 4.5mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 158A | ||
Ausgangsleistung 535W | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie IMBG65 | ||
Gehäusegröße PG-TO263-7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.2mm | ||
Normen/Zulassungen JEDEC | ||
Höhe 4.5mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon CoolSiC MOSFET G2 im D2PAK-7-Gehäuse baut auf den Stärken der Generation-1-Technologie auf und ermöglicht ein beschleunigtes Systemdesign für kostenoptimierte, effiziente, kompakte und zuverlässige Lösungen. Die Generation 2 zeichnet sich durch erhebliche Verbesserungen bei den Leistungsmerkmalen sowohl für den hart schaltenden Betrieb als auch für weich schaltende Topologien aus und eignet sich für alle gängigen Kombinationen von AC-DC-, DC-DC- und DC-AC-Stufen.
Ermöglicht Stücklisteneinsparungen
Höchste Zuverlässigkeit
Ermöglicht höchste Effizienz und Leistungsdichte
Einfache Bedienung
Volle Kompatibilität mit bestehenden Anbietern
Ermöglicht Designs ohne Lüfter oder Kühlkörper
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