Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 41 A 172 W, 7-Pin IMBG65R050M2HXTMA1 PG-TO263-7
- RS Best.-Nr.:
- 349-328
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBG65R050M2HXTMA1
- Marke:
- Infineon
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- 349-328
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBG65R050M2HXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 41A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 62mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 172W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 41A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-TO263-7 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 62mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 172W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon 650 V CoolSiC MOSFET G2 basiert auf der robusten Siliziumkarbid-Trench-Technologie der 2. Generation von Infineon und bietet unvergleichliche Leistung, höchste Zuverlässigkeit und außergewöhnliche Benutzerfreundlichkeit. Dieser MOSFET ermöglicht kostengünstige, hocheffiziente und vereinfachte Designs, die den ständig wachsenden Anforderungen moderner Stromversorgungssysteme und Märkte gerecht werden. Er eignet sich ideal für Anwendungen, bei denen ein hoher Wirkungsgrad und eine robuste Leistung erforderlich sind, und bietet eine zuverlässige Lösung für eine breite Palette von Leistungselektronik.
Extrem niedrige Schaltverluste
Robust gegen parasitäres Einschalten auch bei 0 V Abschaltspannung am Gate
Flexible Ansteuerspannung und kompatibel mit bipolarem Ansteuerungsschema
Robuster Betrieb von Body-Dioden unter harten Kommutierungsereignissen
Die .XT-Verbindungstechnologie für die beste thermische Leistung ihrer Klasse
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