Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 115 A 416 W, 7-Pin IMBG65R015M2HXTMA1 PG-TO263-7
- RS Best.-Nr.:
- 349-323
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBG65R015M2HXTMA1
- Marke:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 115A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Serie | CoolSiC | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 18mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 416W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 79nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 115A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Serie CoolSiC | ||
Gehäusegröße PG-TO263-7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 18mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 416W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 79nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon 650 V CoolSiC MOSFET G2 basiert auf der robusten Siliziumkarbid-Trench-Technologie der 2. Generation von Infineon und bietet unvergleichliche Leistung, höchste Zuverlässigkeit und außergewöhnliche Benutzerfreundlichkeit. Dieser MOSFET ermöglicht kostengünstige, hocheffiziente und vereinfachte Designs, die den ständig wachsenden Anforderungen moderner Stromversorgungssysteme und Märkte gerecht werden. Er eignet sich ideal für Anwendungen, bei denen ein hoher Wirkungsgrad und eine robuste Leistung erforderlich sind, und bietet eine zuverlässige Lösung für eine breite Palette von Leistungselektronik.
Extrem niedrige Schaltverluste
Robust gegen parasitäres Einschalten auch bei 0 V Abschaltspannung am Gate
Flexible Ansteuerspannung und kompatibel mit bipolarem Ansteuerungsschema
Robuster Betrieb von Body-Dioden unter harten Kommutierungsereignissen
Die .XT-Verbindungstechnologie für die beste thermische Leistung ihrer Klasse
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