Infineon CoolSiC Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 49 A 197 W, 7-Pin IMBG65R040M2HXTMA1 PG-TO263-7
- RS Best.-Nr.:
- 349-326
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBG65R040M2HXTMA1
- Marke:
- Infineon
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.10.133
Auf Lager
- 1’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.10.13 |
| 10 - 99 | CHF.9.13 |
| 100 - 499 | CHF.8.41 |
| 500 - 999 | CHF.7.80 |
| 1000 + | CHF.6.99 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 349-326
- Herst. Teile-Nr.:
- IMBG65R040M2HXTMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 49A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | PG-TO263-7 | |
| Serie | CoolSiC | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 49mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 23 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 28nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 197W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 49A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße PG-TO263-7 | ||
Serie CoolSiC | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 49mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 23 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 28nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 197W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- MY
Der Infineon 650 V CoolSiC MOSFET G2 basiert auf der robusten Siliziumkarbid-Trench-Technologie der 2. Generation von Infineon und bietet unvergleichliche Leistung, höchste Zuverlässigkeit und außergewöhnliche Benutzerfreundlichkeit. Dieser MOSFET ermöglicht kostengünstige, hocheffiziente und vereinfachte Designs, die den ständig wachsenden Anforderungen moderner Stromversorgungssysteme und Märkte gerecht werden. Er eignet sich ideal für Anwendungen, bei denen ein hoher Wirkungsgrad und eine robuste Leistung erforderlich sind, und bietet eine zuverlässige Lösung für eine breite Palette von Leistungselektronik.
Extrem niedrige Schaltverluste
Robust gegen parasitäres Einschalten auch bei 0 V Abschaltspannung am Gate
Flexible Ansteuerspannung und kompatibel mit bipolarem Ansteuerungsschema
Robuster Betrieb von Body-Dioden unter harten Kommutierungsereignissen
Die .XT-Verbindungstechnologie für die beste thermische Leistung ihrer Klasse
Verwandte Links
- Infineon IMB N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 41 A, 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IMB N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 238 A, 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IMB N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 115 A, 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IMB N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 91 A, 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IMB N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 75 A, 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IMB N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 41 A, 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IMB N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 52 A, 7-Pin PG-TO263-7
- Infineon IMB N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 8,1 A, 7-Pin PG-TO263-7