Infineon CoolSiC N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 238 A 789 W, 7-Pin PG-TO263-7

RS Best.-Nr.:: 349-322
Herst. Teile-Nr.:: IMBG65R007M2HXTMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolSiC N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 238 A 789 W, 7-Pin PG-TO263-7

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RS Best.-Nr.:: 349-322
Herst. Teile-Nr.:: IMBG65R007M2HXTMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	238A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	CoolSiC
	Gehäusegröße	PG-TO263-7
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	7
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	8.5mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	789W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	179nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	23V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 238A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie CoolSiC
	Gehäusegröße PG-TO263-7
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 7
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 8.5mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 789W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 179nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 23V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IMBG65R007M2HXTMA1

Ursprungsland:: MY

MOSFET der CoolSiC-Serie von Infineon, 650 V maximale Drain-Source-Spannung, 238 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IMBG65R007M2HXTMA1

Dieser MOSFET ist ein N-Kanal-Verbesserungsgerät aus Siliziumkarbid, das für Hochspannungsschalt- und Leistungsumwandlungsaufgaben entwickelt wurde. Es arbeitet in einem breiten Umgebungsbereich, wodurch es sich für anspruchsvolle thermische Umgebungen eignet, und wird in einem oberflächenmontierbaren Leistungsgehäuse für die Integration in kompakte Baugruppen geliefert.

Merkmale und Vorteile:

• Der Ablasswert von 650 V ermöglicht Hochspannungsschaltanwendungen
• 8,5 mΩ Rds(on) sorgen für geringe Leitungsverluste und damit für Effizienz
• 238 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt hohe Stromlasten
• Maximale Verlustleistung von 789 W bewältigt erhebliche thermische Belastungen
• 179 nC typische Gate-Ladung ermöglicht vorhersehbare Gate-Drive-Anforderungen
• Das oberflächenmontierbare Gehäuse PG-TO263-7 erleichtert die Leiterplattenmontage für die Massenproduktion

Anwendungsbereiche

• Geeignet für Wechselrichter in industriellen Stromversorgungssystemen
• Ideal für Hochleistungs-Motorantriebe und Traktionswandler
• Einsatz mit Umrichtern für erneuerbare Energien und Leistungsoptimierern
• Kann für Hochspannungs-DC/DC-Wandlungsstufen verwendet werden
• Einsatz in unterbrechungsfreien Stromversorgungen und netzgebundenen Systemen

Welchen thermischen Bereich verträgt es in rauen Installationen?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 175 °C ausgelegt und ermöglicht den Betrieb in Umgebungen mit extremen Temperaturen.

Welche Einschränkungen des Gate-Antriebs sollten für einen sicheren Betrieb beachtet werden?

Die Gate-to-Source-Spannung darf 23 V nicht überschreiten, um eine Belastung der Gate-Struktur zu vermeiden.

Wie viele Stifte verfügt das Gehäuse aus Gründen des Leiterplattenlayouts?

Die Komponente verfügt über eine siebenpolige Konfiguration, die für eine standardmäßige Oberflächenmontage geeignet ist.

Ist dieses Gerät für kfz-spezifische Zertifizierungsanforderungen geeignet?

Er ist nicht unter die Normen für die Automobilindustrie eingestuft, ist jedoch RoHS-konform.