Infineon OptiMOS 6 Power Transistor Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 120 V Erweiterung, 8-Pin PG-TSON-8

Der MOSFET von Infineon ist ein Zustand des ART-Leistungstransistors, der für Hochfrequenz-Schaltanwendungen entwickelt wurde und eine außergewöhnliche Leistung und Effizienz bietet. Dieser N-Kanal-MOSFET ist für den Einsatz in verschiedenen industriellen Anwendungen optimiert und sorgt für Spitzenzuverlässigkeit selbst unter anspruchsvollen Bedingungen. Mit seinem niedrigen Durchlasswiderstand und seinen bemerkenswerten Gate-Ladungseigenschaften verbessert er die Leistung von Synchrongleichrichtungs- und Leistungsumwandlungssystemen. Das Gerät arbeitet effizient bei hohen Temperaturen und eignet sich daher für eine Reihe von Anwendungen in verschiedenen Sektoren. Das kompakte PG TSON 8 3-Gehäuse ermöglicht platzsparende Designs und sorgt gleichzeitig für eine überlegene thermische Leistung, was es zu einer bevorzugten Wahl für Ingenieure macht, die hochwertige Stromverwaltungslösungen suchen.

Sehr niedriger Einschaltwiderstand minimiert Leistungsverluste