Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 99 A 100 W, 8-Pin IQE046N08LM5ATMA1 PG-TSON-8

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RS Best.-Nr.:
285-042
Herst. Teile-Nr.:
IQE046N08LM5ATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

99A

Drain-Source-Spannung Vds max.

80V

Gehäusegröße

PG-TSON-8

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

4.6mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

100W

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Automobilstandard

Nein

Der Infineon-MOSFET verfügt über ein innovatives Leistungsmodul, das für hohe Effizienz und Zuverlässigkeit in verschiedenen Anwendungen ausgelegt ist. Mit modernster Technologie sorgt es für eine optimale Leistung bei gleichzeitiger Beibehaltung einer kompakten Größe, womit es ideal für moderne elektronische Systeme ist. Die robuste Bauweise des Moduls ermöglicht es ihm, anspruchsvolle Bedingungen zu bewältigen und Branchen zu bedienen, die langlebige und effiziente Stromversorgungslösungen erfordern. Seine ausgezeichneten Wärmemanagement-Eigenschaften und die geringe Verlustleistung verbessern seine Funktionalität und machen ihn zur ersten Wahl für Ingenieure und Designer, die auf Nachhaltigkeit und Leistung Wert legen. Dieses Produkt zeichnet sich durch seine Vielseitigkeit und Benutzerfreundlichkeit aus, die eine nahtlose Integration in bestehende Systeme gewährleistet, während seine benutzerfreundlichen Eigenschaften das Betriebserlebnis insgesamt verbessern.

Maximale Energieeinsparungen bei hoher Effizienz

Kompakte Bauweise für platzsparende Installationen

Langlebige Konstruktion für raue Umgebungen

Optimierte thermische Leistung reduziert den Kühlungsbedarf

Vielseitiger Einsatz für verschiedene Anwendungen

Benutzerfreundlich für einfache Integration

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