Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 306 A TSON
- RS Best.-Nr.:
- 258-0678
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC012N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 5000 Stück)*
CHF.7’875.00
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 5000 + | CHF.1.575 | CHF.7’854.00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-0678
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC012N06NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 306A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TSON | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 15mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 306A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TSON | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 15mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die OptiMOS-MOSFETs von Infineon im SuperSO8-Gehäuse erweitern das Produktportfolio von OptiMOS 3 und 5 und ermöglichen eine höhere Leistungsdichte sowie eine verbesserte Robustheit, um dem Bedarf an niedrigeren Systemkosten und erhöhter Leistung gerecht zu werden. Die niedrige Verzögerungsladung verbessert die Systemzuverlässigkeit durch eine erhebliche Verringerung der Spannungsüberschreitung, wodurch der Bedarf an Schnubberkreisen minimiert wird, was zu weniger Engineering-Kosten und Aufwand führt.
Niedrigere Temperatur bei voller Ladung
Weniger Parallelen
Reduzierte Überschreitung
Erhöhte Leistungsdichte des Systems
Kleinere Größe
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 306 A BSC012N06NSATMA1 TSON
- Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 151 A, 8-Pin PG-Tson-8
- Infineon OptiMOS 6 Power Transistor Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 120 V Erweiterung, 8-Pin PG-TSON-8
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 99 A 100 W, 8-Pin IQE022N06LM5CGSCATMA1 PG-TSON-8
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 80 V / 99 A 100 W, 8-Pin IQE046N08LM5ATMA1 PG-TSON-8
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 100 A TDSON
- Infineon IQE Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET / 205 A TSON
- Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V / 100 A BSC014N06NSATMA1 TDSON