onsemi NTHL Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V / 58 A 117 W, 5-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 241-0744
- Herst. Teile-Nr.:
- NTHL045N065SC1
- Marke:
- onsemi
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- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 58A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | NTHL | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 117W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 105nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie NTHL | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Maximale Verlustleistung Pd 117W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 105nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L
Der N-Kanal-Siliziumkarbid-MOSFET von ON Semiconductor mit 650 V, 42 mΩ. Der Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand und die kompakte Chipgröße für niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Folglich sind die Systemvorteile höchster Wirkungsgrad, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Hohe Sperrtemperatur
Hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität
Max. RDS(on) = 50 mΩ bei Vgs = 18 V, Id = 66 A
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