onsemi NTT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 1200 V / 58 A 117 W, 8-Pin WDFN
- RS Best.-Nr.:
- 244-9189
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFS012N10MDTAG
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.97 | CHF.9.87 |
| 50 - 95 | CHF.1.697 | CHF.8.50 |
| 100 - 495 | CHF.1.475 | CHF.7.37 |
| 500 - 995 | CHF.1.293 | CHF.6.48 |
| 1000 + | CHF.1.182 | CHF.5.90 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-9189
- Herst. Teile-Nr.:
- NTTFS012N10MDTAG
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 58A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | NTT | |
| Gehäusegröße | WDFN | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 117W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie NTT | ||
Gehäusegröße WDFN | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 117W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor MOSFET wird als Primärschalter in isoliertem DC/DC-Wandler, Synchrone Gleichrichtung (SR) in DC/DC und AC/DC, AC/DC-Adapter (USB PD) SR, Lastschalter, Hot-Swap- und O-Ring-Schalter, BLDC-Motor und Solarwechselrichter verwendet.
Geschirmtes-Gate MOSFET-Technologie
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlust
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
Low Qrr, Soft-Recovery-Gehäusediode
Niedriger QOSS zur Verbesserung der Effizienz bei geringer Last
Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei, Berylliumfrei und RoHS-konform
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