onsemi NTB Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 7-Pin HPSOF-8L
- RS Best.-Nr.:
- 254-7667
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL045N065SC1
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stück)*
CHF.9.135
Auf Lager
- 1’930 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück |
|---|---|
| 1 + | CHF.9.14 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 254-7667
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL045N065SC1
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 58A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1200V | |
| Serie | NTB | |
| Gehäusegröße | HPSOF-8L | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 117W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 105nC | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 58A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1200V | ||
Serie NTB | ||
Gehäusegröße HPSOF-8L | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 7 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 117W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 105nC | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - EliteSiC, 33 mohm, 650 V, M2, TOLL Siliziumkarbid (SiC) MOSFET - 33 mohm, 650 V, M2, TOLL
Die Serie NTB von Siliziumkarbid-Mosfet von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die eine überlegene Schaltleistung und eine höhere Zuverlässigkeit im Vergleich zu Silizium bietet. Zusätzlich mit dem niedrigen Widerstand im eingeschalteten Zustand und der kompakten Chipgröße. Es gewährleistet eine niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Kein umgekehrter Erholstrom der Gehäusediode, extrem niedrige Gate-Ladung, hohe Schaltgeschwindigkeit und niedrige Kapazität
Verwandte Links
- onsemi NTB Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 7-Pin HPSOF-8L
- onsemi NTB Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 7-Pin TO-263
- onsemi NTBL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 37 A 139 W, 8-Pin HPSOF-8L
- onsemi NTBL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 46 A 170 W, 8-Pin HPSOF-8L
- onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET N 650 V / 77 A 312 W, 8-Pin HPSOF-8L
- onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET N 650 V / 55 A 227 W, 8-Pin HPSOF-8L
- onsemi NTH Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 7-Pin TO-247
- onsemi NTM Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 5-Pin DFN-5