onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET N 650 V / 77 A 312 W, 8-Pin HPSOF-8L

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Herst. Teile-Nr.:
NTBL023N065M3S
Marke:
onsemi
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Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

77A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

EliteSiC

Gehäusegröße

HPSOF-8L

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

32.6mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

6V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

69nC

Gate-Source-spannung max Vgs

22 V

Maximale Verlustleistung Pd

312W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

2.3mm

Breite

10.38 mm

Länge

9.9mm

Normen/Zulassungen

Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der SiC-MOSFET von ON Semiconductor wurde für hocheffiziente Schaltanwendungen optimiert und bietet niedrige Leitungsverluste und eine robuste thermische Leistung. Sein fortschrittliches Design erhöht die Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Stromversorgungssystemen bei gleichzeitig kompakter Bauweise. Dieses Gerät gewährleistet einen effizienten Betrieb mit minimalem Energieverlust.

H PSOF8L-Paket

RoHS-Konformität

Bleifrei

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