onsemi EliteSiC N-Kanal MOSFET N 650 V / 77 A 312 W, 8-Pin HPSOF-8L

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*

CHF.14.605

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 1'993 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Gurtabschnitt(e)
Pro Gurtabschnitt
1 - 9CHF 14.61
10 - 99CHF 13.15
100 +CHF 12.13

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
333-415
Herst. Teile-Nr.:
NTBL023N065M3S
Marke:
onsemi
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

onsemi

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

77A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

EliteSiC

Gehäusegröße

HPSOF-8L

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

32.6mΩ

Channel-Modus

N

Durchlassspannung Vf

6V

Gate-Source-spannung max Vgs

22V

Maximale Verlustleistung Pd

312W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

69nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free

Breite

10.38mm

Länge

9.9mm

Höhe

2.3mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
PH
Der SiC-MOSFET von ON Semiconductor wurde für hocheffiziente Schaltanwendungen optimiert und bietet niedrige Leitungsverluste und eine robuste thermische Leistung. Sein fortschrittliches Design erhöht die Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Stromversorgungssystemen bei gleichzeitig kompakter Bauweise. Dieses Gerät gewährleistet einen effizienten Betrieb mit minimalem Energieverlust.

H PSOF8L-Paket

RoHS-Konformität

Bleifrei

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.