onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET N 650 V / 77 A 312 W, 8-Pin HPSOF-8L
- RS Best.-Nr.:
- 333-415
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL023N065M3S
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
CHF.14.372
- Zusätzlich 1'993 Einheit(en) mit Versand ab 04. Juni 2026
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.14.37 |
| 10 - 99 | CHF.12.95 |
| 100 + | CHF.11.94 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 333-415
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL023N065M3S
- Marke:
- onsemi
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 77A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | HPSOF-8L | |
| Serie | EliteSiC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 32.6mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 312W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 69nC | |
| Durchlassspannung Vf | 6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.38 mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Normen/Zulassungen | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | |
| Länge | 9.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 77A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße HPSOF-8L | ||
Serie EliteSiC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 32.6mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 312W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 69nC | ||
Durchlassspannung Vf 6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.38 mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Normen/Zulassungen Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | ||
Länge 9.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
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