onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET N 650 V / 77 A 312 W, 8-Pin HPSOF-8L
- RS Best.-Nr.:
- 333-415
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL023N065M3S
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
CHF.14.807
Auf Lager
- Zusätzlich 1'993 Einheit(en) mit Versand ab 13. April 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.14.81 |
| 10 - 99 | CHF.13.33 |
| 100 + | CHF.12.30 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 333-415
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL023N065M3S
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 77A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | HPSOF-8L | |
| Serie | EliteSiC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 32.6mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 312W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 69nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 6V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 9.9mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Breite | 10.38 mm | |
| Normen/Zulassungen | Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 77A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße HPSOF-8L | ||
Serie EliteSiC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 32.6mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Maximale Verlustleistung Pd 312W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 69nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 6V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 9.9mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Breite 10.38 mm | ||
Normen/Zulassungen Halide Free and RoHS with Exemption 7a, Pb-Free | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der SiC-MOSFET von ON Semiconductor wurde für hocheffiziente Schaltanwendungen optimiert und bietet niedrige Leitungsverluste und eine robuste thermische Leistung. Sein fortschrittliches Design erhöht die Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Stromversorgungssystemen bei gleichzeitig kompakter Bauweise. Dieses Gerät gewährleistet einen effizienten Betrieb mit minimalem Energieverlust.
H PSOF8L-Paket
RoHS-Konformität
Bleifrei
Verwandte Links
- onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET N 650 V / 55 A 227 W, 8-Pin HPSOF-8L
- onsemi NTBL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 37 A 139 W, 8-Pin HPSOF-8L
- onsemi NTBL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 46 A 170 W, 8-Pin HPSOF-8L
- onsemi NTB Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 7-Pin HPSOF-8L
- onsemi FCP Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 44 A 312 W, 3-Pin TO-220
- onsemi FCH067N65S3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 44 A 312 W, 3-Pin TO-247
- onsemi SuperFET III MOSFET Easy-drive Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 44 A 312 W, 3-Pin TO-263
- onsemi SuperFET III MOSFET Easy-drive Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 44 A 312 W, 3-Pin TO-247