onsemi NTBL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 46 A 170 W, 8-Pin NTBL060N065SC1 HPSOF-8L
- RS Best.-Nr.:
- 220-562
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL060N065SC1
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 220-562
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL060N065SC1
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 46A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | HPSOF-8L | |
| Serie | NTBL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 170W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22.6 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 74nC | |
| Durchlassspannung Vf | 4.3V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.38 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Länge | 9.9mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 46A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße HPSOF-8L | ||
Serie NTBL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 170W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22.6 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 74nC | ||
Durchlassspannung Vf 4.3V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.38 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Höhe 2.3mm | ||
Länge 9.9mm | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der Siliziumkarbid-MOSFET (SiC) von ON Semiconductor verwendet eine völlig neue Technologie, die im Vergleich zu Silizium eine bessere Schaltleistung und höhere Zuverlässigkeit bietet. Darüber hinaus sorgen der niedrige Widerstand im eingeschalteten Zustand und die kompakte Chipgröße für niedrige Kapazität und Gate-Ladung. Dementsprechend umfassen die Systemvorteile höchste Effizienz, schnellere Betriebsfrequenz, erhöhte Leistungsdichte, geringere elektromagnetische Störungen und geringere Systemgröße.
Schnelles Schalten mit geringer Kapazität
RoHS-konform
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