onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET N 650 V / 55 A 227 W, 8-Pin HPSOF-8L
- RS Best.-Nr.:
- 333-416
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL032N065M3S
- Marke:
- onsemi
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Rolle mit 1 Stück)*
CHF.7.807
Auf Lager
- Zusätzlich 1'980 Einheit(en) mit Versand ab 14. Mai 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Gurtabschnitt(e) | Pro Gurtabschnitt |
|---|---|
| 1 - 9 | CHF.7.81 |
| 10 - 99 | CHF.7.04 |
| 100 - 499 | CHF.6.48 |
| 500 - 999 | CHF.6.01 |
| 1000 + | CHF.4.90 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 333-416
- Herst. Teile-Nr.:
- NTBL032N065M3S
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 55A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | HPSOF-8L | |
| Serie | EliteSiC | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 6V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 227W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free | |
| Breite | 10.38 mm | |
| Höhe | 2.3mm | |
| Länge | 9.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 55A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße HPSOF-8L | ||
Serie EliteSiC | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 6V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 227W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS with exemption 7a, Halide Free, Pb-Free | ||
Breite 10.38 mm | ||
Höhe 2.3mm | ||
Länge 9.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der SiC-MOSFET von ON Semiconductor wurde für effizientes Leistungsschalten entwickelt und bietet geringe Leitungsverluste und eine verbesserte thermische Leistung. Seine kompakte Struktur gewährleistet einen zuverlässigen Betrieb in Anwendungen mit hoher Leistung bei gleichzeitig geringem Platzbedarf. Dieser Baustein ist auf Energieeffizienz optimiert und reduziert die Gesamtverlustleistung des Systems.
H PSOF8L-Paket
RoHS-Konformität
Bleifrei
Verwandte Links
- onsemi EliteSiC Typ N-Kanal MOSFET N 650 V / 77 A 312 W, 8-Pin HPSOF-8L
- onsemi NTBL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 37 A 139 W, 8-Pin HPSOF-8L
- onsemi NTBL Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 46 A 170 W, 8-Pin HPSOF-8L
- onsemi NTB Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 58 A 117 W, 7-Pin HPSOF-8L
- onsemi EliteSiC Durchsteckmontage Schottky-Diode Schottky-Diode Einfach, 650 V / 10.1 A, 2-Pin TO-220
- onsemi EliteSiC Durchsteckmontage Schottky-Diode Schottky-Diode Einfach, 650 V / 8 A, 2-Pin TO-220
- Infineon IPP Typ N-Kanal MOSFET 650 V / 50 A 227 W TO-220
- onsemi EliteSiC Oberfläche Schottky-Diode Schottky-Diode Einfach, 650 V / 11.6 A, 3-Pin TO-252