Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 241-9671
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC026NE2LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.7.14
Vorübergehend ausverkauft
- 2’705 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.428 | CHF.7.15 |
| 50 - 120 | CHF.1.292 | CHF.6.44 |
| 125 - 245 | CHF.1.208 | CHF.6.02 |
| 250 - 495 | CHF.1.113 | CHF.5.58 |
| 500 + | CHF.1.04 | CHF.5.22 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 241-9671
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC026NE2LS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 381A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSC0 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 381A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSC0 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon OptiMOS™ 5 N-Kanal-Leistungs-MOSFET hat 25 V Ablassquellenspannung (VDS) und 82 A Ablassstrom (ID). Er bietet Referenzlösungen, indem er die höchste Leistungsdichte und Energieeffizienz sowohl im Standby- als auch im vollen Betrieb ermöglicht. Er verfügt über den besten Widerstand im eingeschalteten Zustand und hat einen breiten Einsatz in Desktop- und Serveranwendungen, Spannungsreglern mit hoher Leistungsdichte usw.
Optimiert für Hochleistungs-Abwärtswandler,
sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand RDS(on) @ VGS = 4,5 V,
100 % Avalanche geprüft,
hervorragende Wärmebeständigkeit,
N-Kanal,
qualifiziert gemäß JEDEC1) für Zielanwendungen,
bleifreie Kabelbeschichtung,
RoHS-konform,
halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Verwandte Links
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin BSC022N04LS6ATMA1 SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin BSC021N08NS5ATMA1 SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin BSC026N08NS5ATMA1 SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin BSC022N04LSATMA1 SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin BSC018NE2LSIATMA1 SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSC0 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin BSC010N04LS6ATMA1 SuperSO8 5 x 6