Infineon BSZ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin TSDSON-8 FL
- RS Best.-Nr.:
- 241-9887
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ0500NSIATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.4.322
Vorübergehend ausverkauft
- 5'000 Einheit(en) mit Versand ab 08. April 2027
- Zusätzlich 5'000 Einheit(en) mit Versand ab 22. April 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | CHF 2.161 | CHF 4.31 |
| 20 - 48 | CHF 1.939 | CHF 3.89 |
| 50 - 98 | CHF 1.808 | CHF 3.62 |
| 100 - 198 | CHF 1.687 | CHF 3.37 |
| 200 + | CHF 1.576 | CHF 3.15 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 241-9887
- Herst. Teile-Nr.:
- BSZ0500NSIATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 212A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | BSZ | |
| Gehäusegröße | TSDSON-8 FL | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 212A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie BSZ | ||
Gehäusegröße TSDSON-8 FL | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungstransistor OptiMOS 5 von Infineon ist ein N-Kanal-Leistungs-MOSFET, der für Hochleistungs-Abwärtswandler optimiert ist. Er verfügt über eine bleifreie Kabelbeschichtung.
Monolithisch integrierte Schottky-Diode
Sehr niedriger Widerstand im eingeschalteten Zustand
Verwandte Links
- Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin TSDSON-8 FL
- Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 40 A 52 W, 8-Pin TSDSON-8 FL
- Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 40 A 69 W, 8-Pin TSDSON-8 FL
- Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin PQFN
- Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- Infineon BSZ Typ N-Kanal MOSFET N 30 V / 61 A, 8-Pin TSDSON
- Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 25 V / 186 A, 8-Pin TSDSON