Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.7 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- RS Best.-Nr.:
- 243-9279
- Herst. Teile-Nr.:
- ISP75DP06LMXTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.3.74
Auf Lager
- 930 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.374 | CHF.3.76 |
| 100 - 240 | CHF.0.354 | CHF.3.57 |
| 250 - 490 | CHF.0.343 | CHF.3.43 |
| 500 - 990 | CHF.0.323 | CHF.3.26 |
| 1000 + | CHF.0.263 | CHF.2.63 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 243-9279
- Herst. Teile-Nr.:
- ISP75DP06LMXTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SOT-223 | |
| Serie | ISP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SOT-223 | ||
Serie ISP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der P-Kanal-Kleinsignaltransistor von Infineon hat eine bleifreie Leiterbeschichtung. Der Ableitstrom und die Ableit-Quellenspannung von MOSFETs betragen -1,1 A bzw. -60 V. Er hat einen sehr niedrigen Widerstandswert. Die Betriebstemperatur beträgt -55 °C bis 150 °C.
SMD-Technologie
Logikpegelverfügbarkeit
Einfache Schnittstelle zur Mikrocontroller-Einheit (MCU)
Schnelle Schaltfrequenz-
Avalanche-Härte
Verwandte Links
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.7 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / -2.8 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 3.7 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.8 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 1.9 A 81 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 1.55 A 4.2 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 990 mA 4.2 W, 3-Pin SOT-223
- Infineon ISP Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 3.9 A 5 W, 3-Pin SOT-223