Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

RS Best.-Nr.:: 243-9308
Herst. Teile-Nr.:: BSC0906NSATMA1
Marke:: Infineon

Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 243-9308
Herst. Teile-Nr.:: BSC0906NSATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	381A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	SuperSO8 5 x 6
	Serie	BSC
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	0.7mΩ
	Channel-Modus	N
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Betriebstemperatur	+150°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 381A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6
	Serie BSC
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ
	Channel-Modus N
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Betriebstemperatur +150°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC0906NSATMA1

MOSFET der BSC-Serie von Infineon, maximale Drain-Source-Spannung von 40 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 381 A – BSC0906NSATMA1

Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der zum Schalten und Steuern hoher Ströme in Leistungselektronikschaltungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die einen hohen Dauerstrom und eine hohe Leistungsaufnahme in einem kompakten Gehäuse erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• 381 A kontinuierlicher Ablassstrom für Hochstromschaltungen
• 81 W Verlustleistung für dauerhafte thermische Belastbarkeit
• 0,7 mΩ RDS(on), wodurch Leitungsverluste während des Betriebs minimiert werden
• 40 V Drain-Source-Nennleistung zur Unterstützung von Mittelspannungssystemen
• 80 nC Gate-Ladung ermöglicht eine vorhersehbare Schaltsteuerung

Anwendungsbereich

• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandlerstufen
• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Leistungsmodulen verwendet
• Ideal für Motorantriebs-Ausgangsstufen, die hohe Ströme erfordern
• Kann für die Server-Stromverteilung und VRM-Designs verwendet werden
• Nützlich in kompakten oberflächenmontierten Stromversorgungsbaugruppen

Welcher Gate-Spannungsbereich kann sicher angewendet werden?

Der Gate-Antrieb darf 20 V zwischen Gate und Quelle nicht überschreiten, um eine Beschädigung des Gate-Oxids zu vermeiden.

Welche Umgebungstemperatur-Extremen kann er im Betrieb tolerieren?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt und ermöglicht so den Einsatz in Umgebungen mit breiten Temperaturen.

Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Montage und den Wärmeweg aus?

Das Gerät wird in einem SuperSO8-Gehäuse mit einer Größe von 5 x 6 mm für die Oberflächenmontage geliefert, das einen kurzen Leitpfad zu den thermischen Leiterplattenebene bietet.

Welche Relevanz hat die Durchlassspannung für Leitungs-Szenarien?

Die Durchlassspannung beträgt 1 V, was bei der Beurteilung des Spannungsabfalls in Gleichrichter- oder Low-Side-Leitungsumgebungen relevant ist.