Infineon BSC N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 381 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- RS Best.-Nr.:
- 243-9310
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC0906NSATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 381A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | BSC | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 381A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie BSC | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
MOSFET der BSC-Serie von Infineon, maximale Drain-Source-Spannung von 40 V, maximaler kontinuierlicher Drain-Strom von 381 A – BSC0906NSATMA1
Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Transistor, der zum Schalten und Steuern hoher Ströme in Leistungselektronikschaltungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und ist für Anwendungen konzipiert, die einen hohen Dauerstrom und eine hohe Leistungsaufnahme in einem kompakten Gehäuse erfordern.
Merkmale und Vorteile:
• 381 A kontinuierlicher Ablassstrom für Hochstromschaltungen
• 81 W Verlustleistung für dauerhafte thermische Belastbarkeit
• 0,7 mΩ RDS(on), wodurch Leitungsverluste während des Betriebs minimiert werden
• 40 V Drain-Source-Nennleistung zur Unterstützung von Mittelspannungssystemen
• 80 nC Gate-Ladung ermöglicht eine vorhersehbare Schaltsteuerung
• 81 W Verlustleistung für dauerhafte thermische Belastbarkeit
• 0,7 mΩ RDS(on), wodurch Leitungsverluste während des Betriebs minimiert werden
• 40 V Drain-Source-Nennleistung zur Unterstützung von Mittelspannungssystemen
• 80 nC Gate-Ladung ermöglicht eine vorhersehbare Schaltsteuerung
Anwendungsbereich
• Geeignet für Hochstrom-DC/DC-Wandlerstufen
• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Leistungsmodulen verwendet
• Ideal für Motorantriebs-Ausgangsstufen, die hohe Ströme erfordern
• Kann für die Server-Stromverteilung und VRM-Designs verwendet werden
• Nützlich in kompakten oberflächenmontierten Stromversorgungsbaugruppen
• Wird für die synchrone Gleichrichtung in Leistungsmodulen verwendet
• Ideal für Motorantriebs-Ausgangsstufen, die hohe Ströme erfordern
• Kann für die Server-Stromverteilung und VRM-Designs verwendet werden
• Nützlich in kompakten oberflächenmontierten Stromversorgungsbaugruppen
Welcher Gate-Spannungsbereich kann sicher angewendet werden?
Der Gate-Antrieb darf 20 V zwischen Gate und Quelle nicht überschreiten, um eine Beschädigung des Gate-Oxids zu vermeiden.
Welche Umgebungstemperatur-Extremen kann er im Betrieb tolerieren?
Er ist für den Betrieb von -55 °C bis +150 °C ausgelegt und ermöglicht so den Einsatz in Umgebungen mit breiten Temperaturen.
Wie wirkt sich das Gehäuse auf die Montage und den Wärmeweg aus?
Das Gerät wird in einem SuperSO8-Gehäuse mit einer Größe von 5 x 6 mm für die Oberflächenmontage geliefert, das einen kurzen Leitpfad zu den thermischen Leiterplattenebene bietet.
Welche Relevanz hat die Durchlassspannung für Leitungs-Szenarien?
Die Durchlassspannung beträgt 1 V, was bei der Beurteilung des Spannungsabfalls in Gleichrichter- oder Low-Side-Leitungsumgebungen relevant ist.
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