Infineon BSZ Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 212 A 81 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.6.88

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 5.000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.1.376CHF.6.87
50 - 120CHF.1.218CHF.6.10
125 - 245CHF.1.134CHF.5.69
250 - 495CHF.1.071CHF.5.36
500 +CHF.0.987CHF.4.94

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
243-9333
Herst. Teile-Nr.:
BSZ033NE2LS5ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

212A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Serie

BSZ

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.7mΩ

Channel-Modus

N

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ist für Hochleistungs-Abwärtswandler (Server, VGA) und sehr niedrige FOM QOSS für Hochfrequenz-SMPS optimiert.

N-Kanal

Hervorragende thermische Beständigkeit

Bleifreie Leiterbeschichtung;RoHS-konform

Halogenfrei gemäß IEC61249-2-22

Verwandte Links