Infineon Dual-N-Kanal-Normalpegel-Anreicherungsmodus IPG16N10S4-61 Typ N-Kanal MOSFET 100 V Zweifach N / 16 A 29 W,

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.3.73

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Vorübergehend ausverkauft
  • 14’770 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF.0.746CHF.3.74
50 - 120CHF.0.662CHF.3.33
125 - 245CHF.0.63CHF.3.14
250 - 495CHF.0.588CHF.2.92
500 +CHF.0.536CHF.2.68

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
243-9342
Herst. Teile-Nr.:
IPG16N10S461ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

16A

Drain-Source-Spannung Vds max.

100V

Serie

IPG16N10S4-61

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Pinanzahl

8

Channel-Modus

Zweifach N

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.4nC

Maximale Verlustleistung Pd

29W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Transistor-Konfiguration

Dual-N-Kanal-Normalpegel-Anreicherungsmodus

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS, AEC Q101

Automobilstandard

AEC-Q101

Der Infineon MOSFET ist ein Dual N-Kanal Normal Level-Logic Level, AEC Q101 qualifiziert und 100 % Avalanche-getestet.

N-Kanal

100 % Avalanche-getestet

AEC Q101 qualifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenrückfluss

175 °C Betriebstemperatur

Grünes Produkt (RoHS-konform)

Verwandte Links