Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin IPD65R225C7ATMA1 TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 244-0944
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD65R225C7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.4.494
Auf Lager
- 2’464 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.2.247 | CHF.4.48 |
| 10 - 18 | CHF.2.132 | CHF.4.26 |
| 20 - 48 | CHF.1.932 | CHF.3.85 |
| 50 - 98 | CHF.1.722 | CHF.3.44 |
| 100 + | CHF.1.638 | CHF.3.29 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-0944
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD65R225C7ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | IPD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.2mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie IPD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.2mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die CoolMOS C7-Leistungs-MOSFETs von Infineon sind ein revolutionärer Schritt in der Technologie und bieten niedrige RDS(on)/Gehäuse und dank ihrer geringen Schaltverluste Effizienzverbesserungen über den gesamten Lastbereich. Sie bieten den weltweit niedrigsten RDS(on) von 19 mΩ in einem TO-247 und 45 mΩ in TO-220- und D2PAK-Gehäusen. Die schnelle Schaltleistung des C7 ermöglicht es Kunden, mit Schaltfrequenzen von mehr als 100 kHz zu arbeiten und gleichzeitig einen Titan-Wirkungsgrad in Server-PFC-Stufen zu erreichen.
650-V-Spannung
Revolutionär best-in-Class RDS (on)/Gehäuse
Geringere gespeicherte Energie in der Ausgangskapazität (Eoss)
Geringere Gate-Ladung Qg
Platzersparnis durch Einsatz kleinerer Gehäuse oder Reduzierung von Teilen
Verbesserte Sicherheitsmarge und geeignet für SMPS- und Solar-Wechselrichteranwendungen
Niedrigste Leitungsverluste/Gehäuse
Geringe Schaltverluste
Besserer leichter Lastwirkungsgrad
Erhöhte Leistungsdichte
Verwandte Links
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 81 W, 3-Pin IPD50N10S3L16ATMA1 TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin IPD80R280P7ATMA1 TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 81 W, 3-Pin IPD95R750P7ATMA1 TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin IPD80R450P7ATMA1 TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin IPD60R145CFD7ATMA1 TO-252