Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 244-1593
Herst. Teile-Nr.:: IPD5N25S3430ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Zwischensumme (2500 Stück, auf einer Rolle mit 2500)*

CHF 1'312.50

Vorübergehend ausverkauft

Versand ab 30. Dezember 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Rolle*
2500 +	CHF 0.525	CHF 1'307.95

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 244-1593
Herst. Teile-Nr.:: IPD5N25S3430ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	180A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	TO-252
	Serie	IPD
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.4mΩ
	Channel-Modus	P
	Durchlassspannung Vf	1.1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	80nC
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	81W
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	RoHS
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße TO-252
	Serie IPD
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ
	Channel-Modus P
	Durchlassspannung Vf 1.1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 81W
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen RoHS
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD5N25S3430ATMA1

MOSFET der IPD-Serie von Infineon, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 180 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – IPD5N25S3430ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-Schalttransistor, der für anspruchsvolle elektronische Leistungsstufen und Automobilumgebungen entwickelt wurde und ein robustes Leitungsverhalten und ein kontrolliertes Gate-Treiberverhalten über einen erweiterten Temperaturbereich bietet.

Merkmale und Vorteile:

• Der Ablasswert von 40 V ermöglicht das Schalten von Niederspannungs-Stromversorgungssystemen
• 180 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstromlasten
• Niedrige Rds(on) von 1,4 mΩ reduziert Leitungsverluste in Hochstrompfaden
• Die Verlustleistung von 81 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• Die typische Gate-Ladung von 80 nC ermöglicht eine vorhersehbare Schaltenergie
• 20-V-Gate-Toleranz für gängige Gate-Drive-Spannungen

Anwendungsbereich

• Geeignet für Kfz-Antriebswechselrichter und Motorschritte
• Ideal für Implementierungen in der Ausgangsstufe von DC/DC-Wandlern
• Wird mit Batteriemanagementmodulen in Elektrofahrzeugen verwendet
• Kann zum Schalten von Hochstromlasten auf Leiterplatten verwendet werden
• Wird für oberflächenmontierte Stromversorgungen in rauen Umgebungen verwendet

Welche thermischen Extreme kann er während des Betriebs tolerieren?

Er arbeitet in einem Umgebungsbereich von -55 °C bis 175 °C.

Welches Gehäuse und welche Befestigungsart sind für die Montage vorgesehen?

Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist.

Welche Polarität und welche Leitungsart wird verwendet?

Das Gerät verwendet einen N-Typ-Kanal, der in P-Modus-Konfiguration betrieben wird.

Entspricht es den Umwelt- oder Industriestandards?

Er erfüllt die RoHS-Anforderungen und entspricht den AEC-Q101-Kriterien für die Automobilindustrie.

Wie viele Anschlüsse sind für Schaltkreisanschlüsse verfügbar?

Es bietet drei Pins für Gate-, Drain- und Quellenkonnektivität.