Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 244-1594
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD5N25S3430ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.6.355
Auf Lager
- 2’340 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.1.271 | CHF.6.36 |
| 25 - 45 | CHF.1.208 | CHF.6.05 |
| 50 - 120 | CHF.1.082 | CHF.5.43 |
| 125 - 245 | CHF.0.977 | CHF.4.88 |
| 250 + | CHF.0.935 | CHF.4.65 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-1594
- Herst. Teile-Nr.:
- IPD5N25S3430ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 180A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | IPD | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | P | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 180A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie IPD | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus P | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der MOSFET OptiMOSTM Leistungstransistor von Infineon ist ein umweltfreundliches Produkt, RoHS-konform und Automotive AEC Q101-qualifiziert.
N-Kanal – Verbesserungsmodus
MSL1 bis 260 °C Spitzenreflow
175 °C Betriebstemperatur
100 % Lawinengeprüft
Verwandte Links
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET P 75 V / 180 A 81 W, 3-Pin IPD380P06NMATMA1 TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 100 V / 180 A 81 W, 3-Pin IPD650P06NMATMA1 TO-252
- Infineon IPD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET P 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin IPD80R1K2P7ATMA1 TO-252
- Infineon IPD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin IPD25DP06LMATMA1 TO-252