Infineon IPD N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 40 V / 180 A 81 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigen

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

CHF.8.28

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 85 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
  • Zusätzlich 1'515 Einheit(en) mit Versand ab 21. September 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 45CHF 1.656CHF 8.30
50 - 120CHF 1.364CHF 6.83
125 - 245CHF 1.263CHF 6.32
250 - 495CHF 1.182CHF 5.90
500 +CHF 1.091CHF 5.46

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
244-1592
Herst. Teile-Nr.:
IPD30N12S3L31ATMA1
Marke:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

180A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

IPD

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

1.4mΩ

Channel-Modus

N

Maximale Verlustleistung Pd

81W

Durchlassspannung Vf

1.1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

80nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q101

Der MOSFET OptiMOSTM Leistungs-MOSFET von Infineon für Kfz-Anwendungen ist ein umweltfreundliches Produkt, RoHS-konform und Automotive AEC Q101-qualifiziert.

N-Kanal – Verbesserungsmodus

MSL1 bis 260 °C Spitzenreflow

175 °C Betriebstemperatur

100 % Lawinengeprüft

Verwandte Links

Exklusiv für Sie unsere neuesten Produkte und Angebote

E-Mail-Anschrift

Die personenbezogenen Daten, die Sie uns bei Anmeldung zur Verfügung stellen, werden gemäss der Datenschutzerklärung verarbeitet.