Infineon Dualer N-Kanal OptiMOSTM Typ N-Kanal 2 MOSFET & Diode 30 V / 40 A 2.5 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6

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RS Best.-Nr.:
244-1558
Herst. Teile-Nr.:
BSC0924NDIATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET & Diode

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

40A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

SuperSO8 5 x 6

Serie

OptiMOSTM

Pinanzahl

8

Maximale Verlustleistung Pd

2.5W

Durchlassspannung Vf

1V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

6.7nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

±20 V

Transistor-Konfiguration

Dualer N-Kanal

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC1, IEC61249-2-22

Anzahl der Elemente pro Chip

2

Automobilstandard

Nein

Der Infineon MOSFET ist ein OptiMOS-Leistungs-MOSFET mit integrierter monolithischer Schottky-Diode und wurde für Hochleistungs-Abwärtswandler optimiert.

N-Kanal

100 % Avalanche-getestet

AEC Q101 qualifiziert

MSL1 bis zu 260 °C Spitzenrückfluss

175 °C Betriebstemperatur

Grünes Produkt (RoHS-konform)

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