Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Typ N-Kanal 2 MOSFET 60 V N / 20 A 33 W, 8-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 249-6921
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N06S4L26ATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.8.535
Auf Lager
- 725 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.707 | CHF.8.55 |
| 50 - 120 | CHF.1.535 | CHF.7.69 |
| 125 - 245 | CHF.1.444 | CHF.7.20 |
| 250 - 495 | CHF.1.333 | CHF.6.69 |
| 500 + | CHF.1.242 | CHF.6.23 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 249-6921
- Herst. Teile-Nr.:
- IPG20N06S4L26ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | OptiMOSTM-T2 | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 33W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Transistor-Konfiguration | Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie OptiMOSTM-T2 | ||
Pinanzahl 8 | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 33W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Transistor-Konfiguration Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon OptiMOS ist ein Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen. Der Betriebskanal ist N. Er ist AEC Q101-qualifiziert. MSL1 bis 260 °C Spitzenreflow. Grünes Produkt (RoHS-konform) und 100 % Lawinengeprüft.
175 °C Betriebstemperatur
Verwandte Links
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Typ N-Kanal 2 MOSFET 60 V N / 20 A 33 W, 8-Pin
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Zweifach N-Kanal, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOSTM-T2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 100 V Zweifach N / 20
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus OptiMOS-T2 Typ N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 60 V Erweiterung / 20
- Infineon Dualer N-Kanal Logikpegel Anreicherungsmodus IPG20N06S4L-11 Typ N-Kanal MOSFET 60 V / 20 A 65 W TDSON
- Infineon Dual-N-Kanal-Normalpegel-Anreicherungsmodus IPG16N10S4-61 Typ N-Kanal MOSFET 100 V Zweifach N / 16 A 29 W,
- Infineon Dualer N-Kanal OptiMOSTM Typ N-Kanal 2 MOSFET & Diode 30 V / 40 A 2.5 W, 8-Pin SuperSO8 5 x 6
- DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungsmodus-MOSFET DMW Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 1200 V Erweiterung / 44.5 A,